cBN膜作製装置 (磁界励起型イオンプレーティング装置)<H16・17年度地域新生コンソーシアム研究開発事業>

 磁界励起型イオンプレーティング装置は、密着性の良い立方晶窒化ほう素(c-BN)を高成膜速度で数μmコーティングできるPVD(物理蒸着)装置です。また、この装置は、窒化物や酸化物、炭化物も、効率よく薄膜作製できます。
型式:AIH-16110SB

開発背景 

 このc-BN膜作製装置は、滋賀県東北部工業技術センター、滋賀県立大学と共同で実施したH16,17年度地域新生コンソーシアム研究開発事業の成果を利用し、用途開発を行った装置です。H18年度以降も滋賀県東北部工業技術センターと共同研究を実施することで、さらに装置性能を向上させています。

プラズマ源の特徴 

 磁界励起型プラズマ源は、高密度プラズマの生成が可能です。高い成膜レートを持つ成膜方法は、基板に流入するイオン電流密度が必要です。c-BN膜成膜に関して、磁界励起型プラズマ源は、ICPプラズマ源の8倍の成膜速度が得られます。

製品説明

 本装置(型式AIH-16110SB)は機械応用(工具、金型)に特化した装置です。基板温度300400℃で、金属、セラミックス材料にコーティングが可能です。以下の特徴を持っています。

  1. c-BN膜の成膜速度は、0.7μm/hです。
  2. 絶縁性薄膜が工具強度でコーティングできます。
  3. 成膜温度(300℃)でイオン窒化処理ができ、窒化処理後に成膜可能です。
  4. 2元同時成膜にも対応可能です。

共同開発メンバー

  • 神港精機株式会社
  • 機械・金属材料担当