cBN膜作製装置（磁界励起型イオンプレーティング装置）＜H16・17年度地域新生コンソーシアム研究開発事業＞

開発背景　

　このc-BN膜作製装置は、滋賀県東北部工業技術センター、滋賀県立大学と共同で実施したH16,17年度地域新生コンソーシアム研究開発事業の成果を利用し、用途開発を行った装置です。H18年度以降も滋賀県東北部工業技術センターと共同研究を実施することで、さらに装置性能を向上させています。

プラズマ源の特徴 

　磁界励起型プラズマ源は、高密度プラズマの生成が可能です。高い成膜レートを持つ成膜方法は、基板に流入するイオン電流密度が必要です。c-BN膜成膜に関して、磁界励起型プラズマ源は、ICPプラズマ源の8倍の成膜速度が得られます。

製品説明

　本装置（型式AIH-16110SB）は機械応用(工具、金型)に特化した装置です。基板温度300～400℃で、金属、セラミックス材料にコーティングが可能です。以下の特徴を持っています。